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Team Group DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher (weiß, TF13D416G3600HC18JDC01, XTREEM ARGB, INTEL XMP)

Team Group DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher weiß, TF13D416G3600HC18JDC01, XTREEM ARGB, INTEL XMP
Team Group DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher weiß, TF13D416G3600HC18JDC01, XTREEM ARGB, INTEL XMP
Team Group DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher weiß, TF13D416G3600HC18JDC01, XTREEM ARGB, INTEL XMP
Abb. kann vom Original abweichen.
Team Group DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher weiß, TF13D416G3600HC18JDC01, XTREEM ARGB, INTEL XMP
Team Group DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher weiß, TF13D416G3600HC18JDC01, XTREEM ARGB, INTEL XMP
Team Group DIMM 16 GB DDR4-3600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher weiß, TF13D416G3600HC18JDC01, XTREEM ARGB, INTEL XMP
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Produktbeschreibung

Das Team Group TF13D416G3600HC18JDC01 ist ein Kit aus zwei 8-GB-DDR4-3600-Speichermodulen (PC4-28800) der XTREEM-ARGB-Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen Timings von 18-22-22-42 bei 3600 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Die Aluminium-Kühlkörpern der XTREEM-ARGB-Serie bietet die aktuellste ARGB Technologie. XMP 2.0 wird unterstützt.Art.-Nr.: 1780559

Details

TypSDRAM-DDR4
Farbeweiß
EAN0765441653795
Hersteller-Nr.TF13D416G3600HC18JDC01
SerieXTREEM ARGB
Kapazität16 GB (2 x 8 GB)
Anzahl2 Stück
BauformDIMM
BeleuchtungFarbeRGB
ProfileINTEL XMP (Version 2.0)
Anschluss288-Pin
Spannung1,35 Volt
StandardDDR4-3600 (PC4-28800)
Physikalischer Takt 1800 MHz
TimingsCAS Latency (CL)18
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)22
RAS-Precharge-Time (tRP) 22
Row-Active-Time (tRAS)42
Weitere InformationenDDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
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